好文必看|MOS電容結(jié)構(gòu)圖文解析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2020-12-10
MOS結(jié)構(gòu)具有Q隨V變化的電容效應(yīng)，形成MOS電容。
絕緣層是理想的，不存在任何電荷,絕對(duì)不導(dǎo)電;
半導(dǎo)體足夠厚，不管加什么柵電壓，在到達(dá)接觸點(diǎn)之前總有一個(gè)零電場(chǎng)區(qū)(硅體區(qū))
絕緣層與半導(dǎo)體界面處不存在界面陷阱電荷;
金屬與半導(dǎo)體之間不存在功函數(shù)差。
負(fù)柵壓:多子的積累，體內(nèi)多子順電場(chǎng)方向被吸引到S表面，
能帶變化:空穴在表面堆積，能帶上彎
絕緣層是理想的，不存在任何電荷;Si和SiO2界面處不存在界面陷阱電荷;
金半功函數(shù)差為0。
系統(tǒng)熱平衡態(tài)，能帶平，表面凈電荷為0。
小的正柵壓:多子耗盡，表面留下帶負(fù)電的受主離子，不可動(dòng)，且由半導(dǎo)體濃度的限制，形成負(fù)的空間電荷區(qū)。
能帶變化:P襯表面正空穴耗盡，濃度下降，能帶下彎，Xd:空間電荷區(qū)(耗盡層、勢(shì)壘區(qū))的寬度。
注意:正柵壓↑，增大的電場(chǎng)使更多的多子耗盡，Xd↑,能帶下彎增加。
大的正柵壓:能帶下彎程度↑，表面EFi到EF下，表面具n型。
P襯表面Na-面電荷密度↑，同時(shí)P襯體內(nèi)的電子被吸引到表面，表面出現(xiàn)電子積累，反型層形成。
注意:柵壓↑反型層電荷數(shù)增加，反型層電導(dǎo)受柵壓調(diào)制。閾值反型后，Xd↑最大值Xdt不再擴(kuò)展。
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