MOS管i-v特性解析|圖文分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-01-06
原理圖
MOS管i-v特性-特性曲線和電流方程
與結型場效應管一樣，其輸出特性曲線也可分為可變電阻區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)幾部分。
轉(zhuǎn)移特性曲線如圖1(b)所示， 由于場效應管作放大器件使用時是工作在飽和區(qū)(恒流區(qū))，此時iD幾乎不隨VDs而變化，即不同的VDs 所對應的轉(zhuǎn)移特性曲線幾乎是重合的，所以可用VDs 大于某一數(shù)值(vDs> VGs-VT)后的一條轉(zhuǎn)移特性曲線代替飽和區(qū)的所有轉(zhuǎn)移特性曲線。
iD與vGs的近似關系
與結型場效應管相類似。在飽和區(qū)內(nèi)，iD與VGs的近似關系式為：
MOS管i-v特性-參數(shù)
MOS管的主要參數(shù)與結型場效應管基本相同，只是增強型MOS管中不用夾斷電壓Vp，而用開啟電壓VT表征管子的特性。
各種場效應管特性比較
MOS管i-v特性-MOS管導通特性
導通的意思是作為開關，相當于開關閉合。
NMOS 的特性，Vgs 大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況( 低端驅(qū)動)，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs 小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況(高端驅(qū)動)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動中，通常還是使用NMOS。
MOS開關管損失
MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS 兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。
通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。
縮短開關時間，可以減小每次導通時的損失;降低開關頻率，可以減小單位時間內(nèi)的開關次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關損失。
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