650V7A MOS管資料 KIA7N65H參數 現貨直銷 專業(yè)制造-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-07-08
描述
KIA7N65H-功率MOSFET是使用KIASMER先進的平面條紋DMOS技術生產的。這一先進技術特別適合在雪崩和換流模式下最小化狀態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開關性能，并能承受高能量脈沖。
這些器件非常適合于高效率開關模式電源、基于半橋拓撲的有源功率因數校正。
RDS(on)=1.2? @ VGS=10V
低柵電荷(典型29 nC)
高強度
快速開關
100%雪崩測試
改進的dv/dt能力
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
