P溝道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V 參數(shù)資料 原廠現(xiàn)貨直銷-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2022-03-17
KIA7P03A是高密度溝槽p-CH MOSFET,提供出色的導通電阻和大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的柵極電荷。KIA7P03A滿足RoHs和綠色產(chǎn)品要求。
RDS(ON)= 18mΩ(典型值)@ VGS = 10 V
超低柵電荷
綠色的可用設(shè)備
優(yōu)良的CDV / dt效應(yīng)遞減
先進的高密度溝槽技術(shù)
產(chǎn)品型號:KIA7P03A
工作方式:-7.5A/-30V
漏源電壓:-30V
柵源電壓:±20V
漏電流連續(xù):-7.5A
脈沖漏極電流:-50A
雪崩電流:-38A
雪崩能量:72.2mJ
耗散功率:31W
熱電阻:40℃/W
漏源擊穿電壓:-30V
溫度系數(shù):-0.022V/℃
柵極閾值電壓:2.5V
輸入電容:1345PF
輸出電容:194PF
上升時間:19.6ns
封裝形式:SOP-8
KIA7P03APDF文件在線預覽
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