095r0nt參數,095r0nt場效應管代換,優(yōu)質平替-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-11-06
SVG095R0NT N溝道增強型功率MOS場效應晶體管120A，90V，RDS(on)（典型值）=4.4mΩ@VGS=10V；
耗散功率（PD）：
【管殼溫度（Tc）＝25 ℃】200 W
漏極電流（ID）：
【管殼溫度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏極和源極電壓（VDSS）：90 V
漏極和源極通態(tài)電阻（RDS(on)）：0.005 Ω
KNX2908B場效應管采用先進的N溝道溝槽技術，漏源擊穿電壓80V, 漏極電流最大值為130A ,RDS(on) =5.0mΩ(typ)@VGS=10V，封裝形式是TO-220、TO-263、TO-3P；具有高雪崩耐量、可靠性高、低Qgd、低RDSon的特點，可最大限度地減少導通損耗，提供卓越的開關性能。
KNX2908B這款130A、80V大流量、低電壓的MOS管能夠代換SVG095R0NT型號來使用。SVG095R0NT代換MOS管KNX2908B廣泛應用于DC/DC電源、DC-AC逆變器、開關電源、UPS、BLDC電機驅動及鋰電池保護板上。
KNX2908B特性：
VDS=80V，ID=130A，RDS（ON）（典型值）=5.0mΩ@VGS=10V
低Rdson的高密度電池設計
完全表征雪崩電壓和電流
穩(wěn)定性和均勻性好，EAS高
出色的封裝，散熱良好
KIA半導體產生的MOS管場效應管已經廣泛應用于智能家居、新能源電子領域：如智能音響、家用電器、LED照明、逆變電源、電瓶車、電腦電源、充電器、汽車電子等行業(yè)，竭誠為客戶提供優(yōu)質的產品以及配套服務?？筛鶕蛻粜枨筮M行量身定制MOS管產品以及免費試樣、技術支持。
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