13n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),13n50場(chǎng)效應(yīng)管代換-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-02-19
KIA13N50H是一款N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET，專為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，如高效開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓?fù)涞碾娮訜翩?zhèn)流器。
漏極至源極電壓（VDSS）：500V
柵源電壓（VGSS）：±30V
漏極電流 （連續(xù)）（lD）：13A
漏極和源極通態(tài)電阻（RDS(on)）：0.4Ω
耗散功率（PD）：195/48W
工作溫度：±150℃
KIA13N50H場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)13A 150V，RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v；具有低柵極電荷（典型的45nc）、快速切換的能力、雪崩能量、改進(jìn)的dt／dt能力等特性，這款場(chǎng)效應(yīng)管適用于電子鎮(zhèn)流器、DC-AC電源轉(zhuǎn)換器、DC-DC電源轉(zhuǎn)換器、高壓H橋PMW馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、500W逆變器后級(jí)電路/開關(guān)電源等產(chǎn)品。
KIA13N50H場(chǎng)效應(yīng)管封裝形式有TO-220、TO-220、TO-263可供選擇使用，方便安裝應(yīng)用，13N50場(chǎng)效應(yīng)管在開關(guān)電源、逆變器、電動(dòng)車、LED照明、家電、鋰電保護(hù)、電機(jī)控制器等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。
漏源電壓：500V
漏極電流：13A
柵源電壓：±30V
雪崩能量單脈沖：860MJ
最大功耗：195/48W
輸入電容：1600PF
輸出電容：200PF
開通延遲時(shí)間：25nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：130nS
上升時(shí)間：100ns
下降時(shí)間：100ns
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號(hào)金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109
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