功率MOS管Coss會(huì)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，在正常的硬開(kāi)關(guān)過(guò)程中，關(guān)斷時(shí)VDS的電壓上升，電...功率MOS管Coss會(huì)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，在正常的硬開(kāi)關(guān)過(guò)程中，關(guān)斷時(shí)VDS的電壓上升，電流ID對(duì)Coss充電，儲(chǔ)存能量。在MOS管開(kāi)通的過(guò)程中，由于VDS具有一定的電壓，那么Cos...
反向電流損害：外加反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí)，通過(guò)二極管的電流是少數(shù)載流子漂...反向電流損害：外加反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí)，通過(guò)二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。這個(gè)反向電流又稱(chēng)為...
MOS管柵極懸空：MOS管經(jīng)常用于電路的開(kāi)關(guān)控制，通過(guò)改變柵極(gate)的電壓來(lái)使漏...MOS管柵極懸空：MOS管經(jīng)常用于電路的開(kāi)關(guān)控制，通過(guò)改變柵極(gate)的電壓來(lái)使漏級(jí)(drain)和源級(jí)(source)導(dǎo)通或截?cái)?。下面就是一個(gè)常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)電路。Vg輸入高時(shí)，N管...
MOS管DS波形：假設(shè)在一臺(tái)數(shù)字示波器上只看到這一點(diǎn)波型,知道變壓器電感量為1mH...MOS管DS波形：假設(shè)在一臺(tái)數(shù)字示波器上只看到這一點(diǎn)波型,知道變壓器電感量為1mH,通過(guò)從示波器上測(cè)量和計(jì)算,得出下列數(shù)值。（1）大約的交流輸入電壓值（2）次級(jí)反到...
MOS管與非門(mén)：與非門(mén)（英語(yǔ)：NANDgate）是數(shù)字邏輯中實(shí)現(xiàn)邏輯與非的邏輯門(mén)，功...MOS管與非門(mén)：與非門(mén)（英語(yǔ)：NANDgate）是數(shù)字邏輯中實(shí)現(xiàn)邏輯與非的邏輯門(mén)，功能見(jiàn)左側(cè)真值表。若當(dāng)輸入均為高電平（1），則輸出為低電平（0）;若輸入中至少有一個(gè)...
氮化鎵MOS管與碳化硅MOS管的結(jié)構(gòu)、性能差異：作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕，...氮化鎵MOS管與碳化硅MOS管的結(jié)構(gòu)、性能差異：作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕，氮化鎵MOS管和碳化硅MOS管日益引起工業(yè)界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程...
