薄膜場效應(yīng)管解析：場效應(yīng)管是利用改變電場來控制固體材料導(dǎo)電能力的有源器件,...薄膜場效應(yīng)管解析：場效應(yīng)管是利用改變電場來控制固體材料導(dǎo)電能力的有源器件,這種器件不但具有一般半導(dǎo)體三極管體積小、重量輕、耗電省、壽命長等特點,而且還有輸...
自旋場效應(yīng)管（Spin-FET）， 也稱為自旋偏振（極化）半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，這是...自旋場效應(yīng)管（Spin-FET）， 也稱為自旋偏振（極化）半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，這是一種半導(dǎo)體自旋電子器件。自旋FET是1990年由Datta和A.Das提出來的。
場效應(yīng)管圖標(biāo)：場效應(yīng)管一般具有3個電極:柵極G、源極S和漏極D(雙柵場效應(yīng)管有4...場效應(yīng)管圖標(biāo)：場效應(yīng)管一般具有3個電極:柵極G、源極S和漏極D(雙柵場效應(yīng)管有4個電極:柵極G1、極柵G2、源極S和漏極D)。場效應(yīng)管的柵極G、源極S和漏極D的功能分別對...
隧穿場效應(yīng)管介紹：在傳統(tǒng)MOSFET中，載流子從源極越過pn結(jié)勢壘熱注入到溝道中。...隧穿場效應(yīng)管介紹：在傳統(tǒng)MOSFET中，載流子從源極越過pn結(jié)勢壘熱注入到溝道中。而隧穿場效應(yīng)晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶...
逆變器燒場效應(yīng)管原因：逆變器的場效應(yīng)管工作于開關(guān)狀態(tài)，并且流過場效應(yīng)管的電...逆變器燒場效應(yīng)管原因：逆變器的場效應(yīng)管工作于開關(guān)狀態(tài)，并且流過場效應(yīng)管的電流很大，若場效應(yīng)管選型不合適、驅(qū)動電壓幅度不夠大或電路的散熱不好，皆可導(dǎo)致場效...
浮柵場效應(yīng)管解析：閃存（Flash）技術(shù)利用的場效應(yīng)管就是浮柵場效應(yīng)管。FLASH技...浮柵場效應(yīng)管解析：閃存（Flash）技術(shù)利用的場效應(yīng)管就是浮柵場效應(yīng)管。FLASH技術(shù)是采用特殊的浮柵場效應(yīng)管作為存儲單元。這種場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)與普通場管有很大區(qū)別...
