MOSFET采用橫向雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)(IDMOS)來(lái)兼顧工作頻率與功率的要求，MESFET則采用肖...MOSFET采用橫向雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)(IDMOS)來(lái)兼顧工作頻率與功率的要求，MESFET則采用肖特基勢(shì)壘柵極(Schottky Gate FET)結(jié)構(gòu)（圖1.24）。就PN結(jié)的特性而言，與肖特基二極管...
采用DMOS工藝的VMOS最初稱為VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET，垂直溝道...采用DMOS工藝的VMOS最初稱為VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET，垂直溝道，雙擴(kuò)散MOSFET)和VVDMOS( V-groove VerticalDouble-diffused MOSFET,V形槽柵垂直...
功率MOSFET主要用于計(jì)算機(jī)外設(shè)(軟、硬驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)、繪圖機(jī))、電源(AC／DC變...功率MOSFET主要用于計(jì)算機(jī)外設(shè)(軟、硬驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)、繪圖機(jī))、電源(AC／DC變換器、DC／DC變換器)、汽車電子、音響電路及儀器、儀表等領(lǐng)域。
MOSFET構(gòu)造，從縱剖面來(lái)看，柵極（柵區(qū)）、源極（源區(qū)）、漏極（漏區(qū)）大致排列...MOSFET構(gòu)造，從縱剖面來(lái)看，柵極（柵區(qū)）、源極（源區(qū)）、漏極（漏區(qū)）大致排列在同不斷線上，這樣的構(gòu)造被稱為橫向溝道(Ltcral Channel)構(gòu)造。同時(shí)，柵極，精確一...
首先，要深入調(diào)查學(xué)習(xí)，我們需要了解同行的店鋪都是如何可經(jīng)營(yíng)的，我們需要先進(jìn)...首先，要深入調(diào)查學(xué)習(xí)，我們需要了解同行的店鋪都是如何可經(jīng)營(yíng)的，我們需要先進(jìn)行市場(chǎng)調(diào)研。 我們可以以消費(fèi)者的身份進(jìn)入網(wǎng)絡(luò)的同行店鋪，看看他們都在銷售什...
(1)將萬(wàn)用表的轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)置于電阻擋的RX100擋或RXlk擋。 (2)用黑表筆任接一個(gè)...(1)將萬(wàn)用表的轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)置于電阻擋的RX100擋或RXlk擋。 (2)用黑表筆任接一個(gè)電極，用紅表筆依次觸碰另外曲個(gè)電極，進(jìn)行測(cè)量。
