KNX7606A是性能最高的N溝道m(xù)osfet，為大多數同步buck變換器提供優(yōu)良的RDSON和柵...KNX7606A是性能最高的N溝道m(xù)osfet，為大多數同步buck變換器提供優(yōu)良的RDSON和柵極電荷，KNX7606A符合RoHS和綠色產品要求。KIA半導體產品品質優(yōu)良，KIA半導體執(zhí)行的...
保護板專用MOS管40V100A KNX3204A產品特點 1、RDS(ON)，typ=4mΩ@VGS=10V 2、...保護板專用MOS管40V100A KNX3204A產品特點 1、RDS(ON)，typ=4mΩ@VGS=10V 2、專有新溝槽技術 3、低門電荷減小開關損耗 4、快恢復體二極管
IRF8726替代MOS管KIA3103A 30V110A-特征 RDS(on)=1.9mΩ（typ.）@ VGS=10V 低...IRF8726替代MOS管KIA3103A 30V110A-特征 RDS(on)=1.9mΩ（typ.）@ VGS=10V 低導通電阻 快速切換 100%雪崩試驗 重復雪崩最高允許Tjmax 無鉛，符合RoHS標準
NMOSFET特性退化
飽和區(qū):
通常Vg
器件退化的含義： 也就是隨著應力時間的推移，輸出電流下降，同時閾值電壓增加...器件退化的含義： 也就是隨著應力時間的推移，輸出電流下降，同時閾值電壓增加，至于Vg=Vd/2的含義，簡單講，柵電壓時漏電壓一半的時候，襯底電流最大，同時漏端...
MOS管30V40A KNX9103A參數資料-特性 RDS(ON)=8.5mΩ(Typ.),VGS=10V 先進的溝...MOS管30V40A KNX9103A參數資料-特性 RDS(ON)=8.5mΩ(Typ.),VGS=10V 先進的溝槽加工技術。 超低導通電阻的高密度電池設計 完全表征的雪崩電壓和電流
