650V?10A?MOS管 KNX6165A資料-簡(jiǎn)介 KNX6165A通道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是為高...650V?10A?MOS管 KNX6165A資料-簡(jiǎn)介 KNX6165A通道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是為高壓設(shè)計(jì)的。高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如高效率開(kāi)關(guān)電源，有源，開(kāi)關(guān)電源等?；诎霕蛲?fù)涞?..
半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電...半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半...
多級(jí)放大電路 多級(jí)放大電路，其實(shí)也是由多個(gè)單個(gè)三極管構(gòu)成的，把單個(gè)三極管放...多級(jí)放大電路 多級(jí)放大電路，其實(shí)也是由多個(gè)單個(gè)三極管構(gòu)成的，把單個(gè)三極管放大電路進(jìn)行級(jí)聯(lián)，就能組成多級(jí)放大電路。
描述：KIA10N65H N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET。適用于高壓、高速電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用，...描述：KIA10N65H N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET。適用于高壓、高速電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用，例如高效開(kāi)關(guān)模式電源。電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋的電子燈鎮(zhèn)流器。
三極管有靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩個(gè)狀態(tài)，靜態(tài)是指三極管在未加信號(hào)時(shí)的直流工作狀態(tài)，在靜...三極管有靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩個(gè)狀態(tài)，靜態(tài)是指三極管在未加信號(hào)時(shí)的直流工作狀態(tài)，在靜態(tài)狀態(tài)下各電極電流稱為靜態(tài)工作電流。 動(dòng)態(tài)是指三極管在加入交流信號(hào)時(shí)的工作狀態(tài)...
N溝道增強(qiáng)型的MOS是當(dāng)UGS大于一定值時(shí)就會(huì)導(dǎo)通,P溝道增強(qiáng)型的MOS是當(dāng)UGS小于一...N溝道增強(qiáng)型的MOS是當(dāng)UGS大于一定值時(shí)就會(huì)導(dǎo)通,P溝道增強(qiáng)型的MOS是當(dāng)UGS小于一定值時(shí)就會(huì)導(dǎo)通。 即使MOS管完全導(dǎo)通后，也是有導(dǎo)通電阻存在的，RDS(ON)是指當(dāng)UGS=...
